삼성전자가 7세대 고대역폭메모리(HBM)을 최초 공개했다.
삼성전자는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 17일까지 열리는 엔비디아 GTC를 통해 차세대 HBM인 HBM4E의 실물 칩과 적층용 칩인 '코어 다이' 웨이퍼를 선보였다.
7세대 HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 속도와 4.0TB/s(초당테라바이드) 대역폭을 지원한다. 이는 6세대 HBM4의 13Gbps 속도와 3.3TB/s 대역폭을 뛰어넘는 것이다.
삼성전자는 또 이날 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술도 공개하며 패키징 기술 경쟁력을 강조했다. TCB는 열과 압력을 이용해 칩과 칩을 접합하는 반도체 패키징 기술이며, HCB는 구리 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술이다.
삼성전자는 특히 7세대 HBM을 공개하면서 엔비디아 '베라 루빈(Vera Rubin)' 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 강조하면서 엔비디아와의 협력을 부각시켰다.
삼성전자는 GCT에 '엔비디아 갤러리'를 별도로 마련, 루빈(Rubin) GPU용 HBM4, 베라(Vera) CPU용 SOCAMM2, 스토리지 PM1763을 전시하며 양사가 AI 동맹 관계임을 대내외에 과시했다.
삼성전자는 이와 별도로 AI 팩토리, 로컬 AI, 피지컬 AI 등 3개 전시존을 마련, GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 선보였다.
한편 송용호 삼성전자 AI 센터장은 오는 17일 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원한 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다. 양사의 협력이 단순 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 강조할 것으로 알려지고 있다.
