중국 반도체 대표주자로 불리는 창신메모리테크놀리지(CXMT, 이하 창신메모리)의 D램 시장 점유율이 수직 상승했다. 창신메모리 성장은 어느 정도 예측됐지만 그 속도가 너무 빠르다는 점에서 3위 자리가 바뀔 수 있다는 전망까지 나오고 있다. 중국 내부에선 시간문제일 뿐 3위 차지는 의심하지 않는 분위기다.
5일 차이롄서와 글로벌 타임스 등 중국 매체들은 시장조사업체 카운터포인트리서치의 2026년 2분기 D램 매출 시장 보고서를 인용, 창신메모리의 2분기 글로벌 시장 점유율이 7%를 기록했다고 전했다. 이는 전년 대비 무려 716% 성장한 것이다.
이와 관련, 중국 매체들은 창신메모리가 중국 시장의 견조한 D램 수요와 지속적인 생산능력 확장에 힘입어 세계에서 가장 빠르게 성장하는 D램 제조업체로 부상했다고 강조했다.
중국 자체 수요가 창신메모리 점유율을 쉽게 끌어올렸다는 분석이 지배적이다.
글로벌 타임스는 창신메모리 상장 2주 만에 글로벌 점유율이 나왔다면서 상장을 통해 마련된 자금이 기술혁신과 시장 확대로 이어질 수 있을지 관심이 집중되고 있다고 전했다. 그러면서 자금 조달 능력과 경기변동에 효과적인 대응, 기술혁신이 창신메모리 시장점유율 확대의 핵심 관건이라고 강조했다.
카운터포인트가 공개한 올 2분기 D램 시장점유율 순위는 삼성전자(39%), SK하이닉스(26%), 마이크론(25%), 창신메모리(7%) 순이다.
2분기 D램 글로벌 점유율은 크게 3가지로 요약된다. 우선 삼성전자의 독주다. 지난해 2분기 32%까지 떨어졌던 삼성전자의 점유율이 39%까지 치솟았다.
또 하나는 2위 SK하이닉스와 마이크론 간 자리 다툼이다. 지난해 2분기 38%였던 SK하이닉스의 점유율은 수직낙하하며 3위 마이크론과 우열을 가리기 쉽지 않는 상태다.
마지막으로 창신메모리다. 창신메모리는 1분기 8%에서 7%로 하락했지만 지난해와 비교하면 말 그대로 수직 상승 상태다. 창신메모리가 중국 물량을 흡수하는 블랙홀이 될 수 있다는 조심스러운 전망까지 나오고 있다.
중국 매체들은 SK하이닉스를 거론하지 않고 있지만 창신메모리의 타깃으로 마이크론이 아닌 SK하이닉스를 염두에 두고 있는 것으로 보인다.
차이나데일리는 이와 관련 창신메모리가 최근 LPDDR6 칩의 연구개발(R&D) 검증 완료 단계에 근접, 차세대 메모리 양산에 한 걸음 더 다가섰다고 전했다.
이 칩의 전송 속도는 12,800Mbps(초당 메가비트)이며 시스템온칩(SoC)과 결합 시 기본 동작 속도는 10,667Mbps로 알려지고 있다고 이 매체는 전했다. 이는 전력 효율성과 가용성 등 기존 LPDDR5X 제품보다 앞선 것이라고 이 매체는 강조했다. 그러면서 이 매체는 SK하이닉스가 올 하반기 LPDDR6 양산을 시작할 것이라고 덧붙였다.
글로벌 타임스는 이와 관련 카운터포인트를 인용, 창신메모리가 HBM(고대역폭메모리) 및 LPDDR6 생산 능력을 어떻게 확대해 나갈 것인가를 주목해야 한다고 지적했다. 창신메모리가 국내외 시장 수요를 충족할 만큼 생산능력을 확장할 수 있다면 글로벌 시장 점유율이 크게 증가할 것이라는 전망이다.
천징 창신메모리 기술전략연구소 부소장은 "현재 반도체 산업은 강력한 수요를 제공하는 국내(중국) 시장과 전략적 영역에 자원을 집중할 수 있는 정책적 지원이 창신메모리에 유리한 이점"이라면서도 첨단 기술 격차를 줄여야 글로벌 시장 점유율을 확보할 수 있다고 전했다.
한편 지난해 말 기준 창신메모리의 월 웨이퍼 생산능력은 28만~29만장으로 추정되고 있다. 현재 상하이에 건설 중인 신규 공장이 완공되면 2028년 월 생산능력은 50만장으로 늘어나게 되며, 생산능력 점유율은 17%에 달할 것으로 추정되고 있다. 창신메모리는 이와 함께 베이징에서 칩 공장을 추가 건설하는 방안을 검토 중인 것으로 알려지고 있다.
